Главная Учебники - Разные Лекции (разные) - часть 55
«МАТИ»-РГТУ им. К. Э. Циолковского Кафедра: "Xxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxx" студент ХxxxxxxxX. X.группа XX-X-XX дата сдачи
оценка
г. Москва 2001 год
Оглавление:
1. Исходные данные 2. Анализ исходных данных 3. Расчет физических параметров p-
и n-
областей 4. Расчет параметров p-
n
перехода 4
5. Вывод 6. Литература 1) материал полупроводника – GaAs
2) тип p-nпереход – резкий
и несимметричный
3) тепловой обратный ток ( 4) барьерная ёмкость ( 5) площадь поперечного сечения ( S
) – 1
мм2
1. Материал легирующих примесей: а) S (сера) элемент VIA группы (не Me) б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me) 2. Концентрации легирующих примесей: Nа
=1017
м -3
,
Nд
=1019
м -3
3. Температура (T
) постоянна и равна 300К
(вся примесь уже ионизирована) 4. 5. 6. 7. а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны б) собственная концентрация в) положение уровня Ферми г) концентрации основных и неосновных носителей заряда д) удельные электропроводности p- и n- областей е) коэффициенты диффузий электронов и дырок ж) диффузионные длины электронов и дырок 4. Расчет параметров
p-
n перехода
a) величина равновесного потенциального барьера б) контактная разность потенциалов г) барьерная ёмкость при нулевом смещении д) тепловой обратный ток перехода – общий вид функции для построения ВФХ ж) график ВАХ – общий вид функции для построения ВАХ Ветвь обратного теплового тока (масштаб) Ветвь прямого тока (масштаб) Вывод.
При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам: - величина равновесного потенциального барьера ( - значение обратного теплового тока ( Литература: 1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники»
2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ»
. Москва, 1996 г. 3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники
. Москва, «Советское радио», 1971 г. |