Расчет полевого транзистора 1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием модели Молла – Эберса. 1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора Исходные данные: q = 1,6*10 –19 Кл – заряд электрона; ni = 1,5*1010 см –3 – концентрация, при температуре 300 К; А = 1*10 –6 см2 – площадь p-n перехода; Дnк = 34 см2/с – коэффициент диффузии электронов в коллекторной области; Дрб = 13 см2/с – коэффициент диффузии дырок в базовой области; Ln = 4.1*10 –4 м – диффузионная длина электрона; UТ = 25,8 мВ – температурный потенциал при температуре 300 К; Wб = 4,9 мм – ширина базовой области; Nдб = 1,1*1016 см –3 – донорная концентрация в базовой области; Nак = 3*1017 см –3 – акцепторная концентрация в коллекторной области; (1.1) UЭ – const -UК = 0; 0.01; 0.05; 0.1; 1; 1.5; 2; 3; 4; 5; Находим значение IК , затем меняя UЭ , при тех же значениях UК находим значения тока. Таблица 1.1 – Значения IК при разных значениях UЭ IК при UЭ = 0 В IК при UЭ =0.005 В IК при UЭ = 0.01 В IК при UЭ =0.015 В IК при UЭ = 0.02 В 0 0 0 0 0 8.429e-3 5.598e-3 0.021 0.029 0.039 0.023 0.014 0.035 0.043 0.053 6.749 0.028 0.038 0.046 0.056 0.026 0.032 0.039 0.047 0.057 0.026 0.032 0.039 0.047 0.057 0.026 0.032 0.039 0.047 0.057 0.026 0.032 0.039 0.047 0.057 0.026 0.032 0.039 0.047 0.057 0.026 0.032 0.039 0.047 0.057 По полученным данным построим график зависимости представленный на рисунке 1.1 Рисунок 1.1 – Выходная характеристика транзистора 1.2 Расчет и построение входных характеристик транзистора (1.2) UЭ = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05; 0.06; 0.07; 0.08; 0.09 UК – const Таблица 1.2 – Значения тока эмиттера при различных значениях UЭ IЭ при UК = 0 В IЭ при UК = -  В IЭ при UК = 0.03 В 0 -0.026 0.057 -0.012 -0.039 0.045 -0.031 -0.057 0.027 Продолжение таблицы 1.2 -0.057 -0.084 -3.552e-10 -0.097 -0.123 -0.039 -0.154 -0.181 -0.097 -0.239 -0.265 -0.182 -0.363 -0.390 -0.306 -0.546 -0.573 -0.489 -0.815 -0.841 -0.758 Для построения входной характеристики нужны значения тока базы IБ = -(IЭ + IК ) (1.3) Таблица 1.3 – Значения тока базы IБ [мА] 0 0.021 -0.070 3.954e-3 0.025 -0.066 8.033e-3 0.029 -0.062 0.031 0.052 -0.038 0.070 0.091 4.754e-4 0.128 0.149 0.058 0.213 0.233 0.143 0.337 0.358 0.267 0.520 0.541 0.450 0.788 0.809 0.719 По значениям токов и напряжений построим зависимость тока базы от напряжения UБЭ представленную на рисунке 1.2. Рисунок 1.2 – Входные характеристики транзистора 2 Расчет концентрации не основных носителей Исходные данные: Wе = 3,0 мм – ширина эмиттерной области; Wб = 4,9 мкм – ширина базовой области; Wк = 5,1 мм – ширина коллекторной области; Х = 10 мм 2.1 В эмиттерной области: где UЭ = 0,005B Рисунок 2.1 – График распределения концентрации от координат в эмиттерной области 2.2 В базовой области: UЭ = 0.005 В; UК = 1.4 В. Рисунок 2.2 – График распределения концентрации в базовой области В эмиттерной области: UК = 1.4 В Рисунок 2.3 – График концентрации в коллекторной области 3 Расчет эффективности эмиттера UЭ = 0,2 В; UК = 0,1 В 4 Коэффициент переноса тока через базу 5 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ где М – коэффициент умножения тока коллектора 6 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 7 Расчет барьерной емкости коллекторного перехода где U0 – пороговое напряжение перехода 8 Расчет h – параметров Для вычисления h – параметров используем характеристики транзистора полученные с использованием модели Молла – Эберса. Рисунок 8.1 – Выходные характеристики транзистора UКЭ =EK – IKRH, EK = IKRH + UКЭ, ЕК = 0,057*10+(-5)=4,43 Рисунок 8.2 – Входные характеристики транзистора Воспользуемся формулами связи между параметрами транзистора при различных включениях. 9 Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода 10 Расчет дифферинцеальной емкости эмиттерного перехода 11 Расчет эффекта Эрли При UЭ = const, концентрация носителей в базовой области становится функцией коллекторного напряжения: UK 0 0.2 0.4 0.8 1.2 1.4 Рисунок 11.1 – Зависимости концентраций в базовой области: 1 – в зависимости от ширины базы, 2 – как функция от приложенного UK 12 Расчет и построение ФЧХ и АЧХ 12.1 ФЧХ  изменяем 0 – 1000 Гц  0 0.1 10 100 200 500 1000 -0.42 -5.465 -21.465 -62.34 -80 -85.2 Рисунок 12.1 – ФЧХ 12.2 АЧХ При использовании тех же частот Рисунок 12.1 - АЧХ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 1 Л. Росадо «Физическая электроника и микроэлектроника» М.: Высш. шк., 1991.-351 с. с ил. 2 И.П. Степаненко «Основы теории транзисторов и транзисторных схем» изд. 3-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1973.-608с. с ил. 3 Б.С. Гершунский «Основы электроника» Киев, «Высшая школа», 1977, 344с.