Расчетно-Графическая работа ППД КД213А Министерство высшего образования РФ. Уральский государственный университет – УПИ Кафедра “Технология и средства связи” Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод «КД213А » Преподаватель: Болтаев А.В. Студент: Черепанов К.А. Группа: Р-207 Екатеринбург 2000 Аннотация В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R= , r~ , C; расчитываются TKUпр , TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода. Содержание 1. Краткая характеристика диода............................................ 4 2. Паспортные параметры:....................................................... 4 2.1. Электрические.......................................................... 4 2.2. Предельные эксплуатационные............................... 4 3. Вольт-амперная характеристика.......................................... 5 3.1. При комнатной температуре.................................... 5 3.2. При повышенной...................................................... 6 4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6 5. Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6 6. Определение сопротивления базы rб................................... 9 6.1. Приближенное.......................................................... 9 6.2. Точное....................................................................... 9 7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10 8. Библиографический список................................................ 10 9. Затраты времени на:........................................................... 10 9.1. Информационный поиск........................................ 10 9.2. Расчеты................................................................... 10 9.3. Оформление............................................................ 10 Краткая характеристика диода Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса. Масса диода не более 4 г. КД213А [1] Рисунок 1 Паспортные параметры: Электрические Постоянное прямое напряжение при I пр=10А, не более: Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В Постоянный обратный ток при, не более: Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А: КД213А…………………………………………………………...………………………300нс Емкость диода, не более: при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ Предельные эксплуатационные Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц Тепловое сопротивление переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С Общая таблица параметров Предельные значения параметров при Т=25˚С Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С Значения параметров при Т= 25˚С R т п-к, ˚С/Вт I пр, ср max А Uобр, и, п мах, В Uобр мах, В Iпрг (Iпр, уд)мах, А fмах, кГц Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА Т˚С tи(tпр), мс Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А Iпр, и, А Uпр, и, В 10 85 200 200 100 10 100 140 1 10 0,3 1 20 0,2 1,5 Вольт-амперная характеристика При комнатной температуре При повышенной Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25 °С Зависимость R= от Uпр Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 R= 0,3 0,2333333 0,16 0,1125 0,090909 0,073333 Зависимость r~ от Uпр Uпр 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 r~ 0,1 0,0666667 0,05 0,044444 0,038462 Зависимость R= от Uобр Uобр 50 100 150 200 250 300 R= 3571429 6666666,7 8333333 4878049 2777778 1304348 Зависимость r~ от Uобр Uобр 50 100 150 200 250 r~ 50000000 25000000 5555556 2631579 1157407 Зависимость Cдиф от Uпр Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 Сдиф 0,08 0,12 0,2 0,32 0,44 0,6 Зависимост Сб от Uобр Определение величины TKUпрям TKIобр Определение сопротивления базы r б Приближенное Точное Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема Библиографический список 1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с. 2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил. 3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158) 4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил. 5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л. Затраты времени на: a) Информационный поиск -72 часf b) Расчеты -1час (67 мин.) c) Оформление - 6 часов (357мин.) [1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США