Главная Учебники - Разные Лекции (разные) - часть 28
ГУАП КАФЕДРА № 25 ОТЧЕТ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ Санкт-Петербург2011
1 Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.
2 Описание лабораторной установки
Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом приведена на
рисунке
1.
Рисунок 1 – Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора 2П103Б с управляющим р-п переходом и каналом р-типа
Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором приведена на
рисунке
2.
Рисунок 2 – Схема исследования статистических характеристик Напряжения питания подаются с гнёзд источников стабилизированных напряжений Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки
R
9 и
R
10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляется с помощью цифровых тестеров серии
MY
6
x
. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.
3.1 Измерение статических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом
Таблица 1 – Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом (КП103Б)
Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 3.
Семейство управляющих характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 4.
Таблица 2 – Статические характеристики МДП-транзистора (КП301А)
Uзи
=Uзи пор
-2,8 В
Семейство выходных характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 5.
Семейство управляющих характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 6.
4.1 Расчёт дифференциальных параметров
полевого транзистора с управляющим р-п переходом
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
где б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
где в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
4.2 Расчёт дифференциальных параметров
МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
где б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
где в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
|