Главная Учебники - Разные Лекции (разные) - часть 28
Федеральное агентство по образованию РФ Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» Кафедра микроэлектроники Отчет по лабораторной работе №3 Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов Санкт-Петербург 2005 Введение
Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников осуществляется с помощью монохроматора, схема которого представлена на рисунке. Световой поток от галогенной лампы E, питаемой от источника G, через щель монохроматора F, ширина которой регулируется микрометрическим винтом, поступает на диспергирующее устройство P. Схема для исследования фотоэлектрических свойств полупроводников Это устройство представляет собой призму, поворачивая которую с помощью барабана, можно освещать ФP светом определенной длины волны. ны волны. На выходе монохроматора установлены исследуемые образцы (R) полупроводника 1 и 2. Изменение проводимости фиксируется с помощью цифрового омметра PR. В настоящей работе исследование фотоэлектрических свойств полупроводников проводится на примере материалов, применяемых в промышленных фоторезисторах. на основе сульфида кадмия (CdS) и селенида кадмия (CdSe), обладающие высокой чувствительностью к излучению видимого диапазона спектра 1. Исследование спектральной зависимости фотопроводимости
Экспериментальные результаты для 1-ого образца Эl, усл. ед. gф', усл. ед. γС = 1/ RС - проводимость полупроводника на свету gф = gС - 1/RT, где где RT = 10 Мом - фотопроводимость полупроводника γ΄Ф = γФ/Эλ приведенную фотопроводимость (изменение проводимости полупроводника под действием единицы энергии падающего излучения) γ΄Ф/γ΄Фmax- относительная фотопроводимость, где γ΄Фmax - максимальное значение приведенной фотопроводимости для исследованного образца. Примеры расчетов: γС = 1/ RС = 1/3,950 = 0,253 gф = gС - 1/RT= 0,253 – 1/10 = 0,153 γ΄Ф = γФ/Эλ = 0,153/0,14 = 1,094 γ΄Ф/γ΄Фmax= 1,094/ 64,675 = 0,017 График 1. Спектральная зависимость фотопроводимости фотопроводимость монохроматор кадмий спектральный Из графика находим длинноволновую границцlПОР = 0,517 мкм; - энергия активации фотопроводимости где h = 4,14×10-15 эВ×с - постоянная Планка, c = 3×108 - скорость света, DЭ - ширина запрещенной зоны. DЭ = (4,14×10-15 *3×108 )/0,517*10-6 = 2,402 эВ 2. Исследование зависимости фотопроводимости от интенсивности облучения
Результаты при изменении щели монохроматора для 1-ого образца: График 2. Световая характеристика Вывод
|